碳化硅功率模块封装技术进展
《集成电路应用》2018年 第8期 | 曹峻 张兆强 上海瞻芯电子科技有限公司 上海201306 复旦大学材料科学系 上海200433
摘 要:近年来,随着新能源产业的快速发展,电力电子系统对功率半导体器件性能提出了更高的要求,作为宽禁带半导体材料的碳化硅功率器件以其相对于传统硅基器件的优异性能,正引起大家的广泛关注.与此同时,碳化硅器件的封装技术正成为限制器件性能发挥的瓶颈.从封装结构和材料角度,探讨了碳化硅功率模块封装技术的最新进展.
【分 类】 【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 结构、器件
【关键词】 宽禁带半导体 碳化硅 模块 封装技术
【出 处】 《集成电路应用》2018年 第8期 20-24页 共5页